项目领域：第三代半导体材料与器件
项目简介：本项目GaN HEMT具有自主知识产权，器件采用H钝化的高阻GaN盖帽层，具有更高的动态特性、耐压特性和可靠性。相比于目前市面和其他公司正在研发的刻蚀结构器件具有工艺简单、成本低和性能高等很大的优势。依托于中科院苏州纳米所进行了前期研究和验证工作，已经可以进行10A/900V GaN HEMT小试生产。目前，该项目所研制芯片正在苏州纳米所的8inch线上进行工程化验证。预计项目总体投资规模10亿元，力争在2022年实现批量产品产出。
项目单位：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所